>

资金进攻方向产业链拆解 · 存储芯片（国产HBM/DRAM替代 + 存储价格周期）

2026-07-24 ｜ 类型 A(A硬件供应链型)
存储芯片（国产HBM/DRAM替代 + 存储价格周期）
进攻方向
早期扩散 / 结构性分化
行情定性
高
最高风险等级
6 家
重点评级公司

〇近期资金异动与方向连续性

以申万一级半导体(pt01801081)为代理看近期(存储为其子板块，方向一致)——近20日下跌-20.94%(深度超跌)，近5日仅+2.23%弱反弹，7-24单日主力净流入+36.5亿但近5日/20日仍净流出(-5.84亿/-242.09亿)。但存储子板块分化极大：存储颗粒/模组(兆易/佰维/江波龙/北京君正)20日实际跌幅达-38%~-53%，远深于板块整体；而HBM/接口(澜起5日+27%)与封测(深科技当日+7.42%)逆势独立走强。结论：存储芯片07-24非板块级资金攻击，是"国产HBM+封测"结构性独立行情叠加多数标的超跌，非趋势主升。
启动日判定：存储板块自6月起随半导体整体阴跌，7月存储现货价格(DRAM/NAND)持续下行致模组盈利承压；真正分化起点在7月中——澜起科技因AI服务器DDR5/HBM接口需求+国产替代预期独立走强(5日+27.27%)，深科技因长鑫/长存HBM封测订单预期7-24逆势+7.42%；属"结构性分支启动"，非前期资金潜伏。
方向连续性：结构性强特征明显——澜起单票强但板块整体20日净流出(-242亿半导体)，颗粒/模组深跌未企稳。需观察：澜起强势能否扩散至DRAM颗粒(北京君正/长鑫)、深科技封测订单能否兑现、存储价格周期是否拐点。暂定性为"结构性独立行情+超跌"，非板块趋势主升。

一今天资金攻击方向

07-24 存储芯片无板块级集中涨停攻击，整体平淡偏弱；但内部严重分化——资金实际在攻击"国产HBM+存储封测"细分，而非整个存储板块。当日逆势走强的是深科技(存储封测+7.42%，HBM封装受益)、澜起科技(DDR5/HBM接口+3.62%，5日已+27.27%独立异动)、聚辰股份(EEPROM车规+2.84%)；而存储颗粒/模组(北京君正-5.34%、佰维存储-5.6%、江波龙-1.55%、兆易创新+1.12%小涨不强)整体深度回调。
早期扩散 / 结构性分化

二涨停集群产业链归因表

个股案例真实业务/映射点归属环节资金角色产业含金量需验证
澜起科技(688008) ADDR5内存接口/HBM接口/CKD芯片，全球接口龙头DDR5/HBM接口核心龙头(国产独苗)高已确认
北京君正(300223) A车规DRAM+车规MCU，绑定长鑫DRAM生态DRAM颗粒核心(国产DRAM)高已确认
兆易创新(603986) ANOR Flash(全球第三)+MCUNOR Flash核心(国内NOR龙头)高已确认
聚辰股份(688123) AEEPROM(车规，全球第三)EEPROM核心(车规EEPROM)中已确认
深科技(000021) A存储封测(长鑫/长存核心封测厂)，HBM封装存储封测中军(封测容量)中高已确认
佰维存储(688525) B存储模组(企业级/消费级)存储模组弹性(模组)中已确认
江波龙(301308) B存储模组(全品类)存储模组弹性(模组)中已确认
普冉股份(688766) B中小容量NOR/EEPROMNOR Flash弹性(NOR)中已确认
东芯股份(688110) BNAND/NOR中小容量NAND颗粒弹性(NAND)中已确认
香农芯创(300475) D存储芯片代理分销(江波龙/佰维等品牌代理)代理分销边缘映射低需验证

三产业链环节价值排序

环节利润不可替代壁垒卡脖子证据结论
DDR5/HBM接口(澜起科技)455S1A高价值核心环节
DRAM颗粒(北京君正/长鑫)455S1A高价值核心环节
NAND颗粒(长存/东芯)455S1A高价值核心环节
NOR Flash(兆易/普冉)344S2A有壁垒重要配套
EEPROM(聚辰股份)344S2A有壁垒重要配套
存储封测(深科技)333S2A中军容量环节
存储模组(佰维/江波龙)222—B低位弹性扩散
代理分销(香农芯创)111—D边缘映射

四资金扩散路径

核心环节
DDR5/HBM接口(澜起科技)DRAM颗粒(北京君正/长鑫)NAND颗粒(长存/东芯)
→
上游/材料/配套
存储封测(深科技/长电/通富)晶圆制造(与半导体设备共用)
→
低位弹性
NOR Flash(兆易/普冉)EEPROM(聚辰股份)存储模组(佰维存储/江波龙)
→
情绪映射
代理分销(香农芯创)蹭存储概念

五这个故事能否支撑持续上涨

下游需求存储需求真实且多维：AI服务器/HBM、车规、消费电子、工业；但存储现货价格处于下行后段，需求复苏待验证。
利润路径颗粒/模组受价格周期压制(佰维/江波龙PE仅28倍因盈利薄、周期敏感)；澜起/接口靠份额提升+结构升级获利，利润路径更稳。
环节壁垒DRAM/NAND/HBM接口壁垒极高(长鑫/长存/澜起)，模组/代理几乎无壁垒；国产替代逻辑成立但技术差距(与三星/海力士)仍大。
资金验证07-24 仅结构性攻击(HBM接口+封测逆势强)，板块整体未获资金集中进攻；澜起5日+27%为独立异动而非板块共振。
股价位置存储颗粒/模组20日跌幅-38%~-53%深度超跌，澜起相对高位(60%分位)；整体超跌但未企稳，多数标的仍在下行通道。
结论：国产HBM+接口(澜起)逻辑最硬(需求+国产替代+份额提升)，但板块整体受存储价格周期压制；持续性看价格周期拐点+长鑫IPO+封测订单兑现，短线偏结构性独立行情、非板块主升。

六后续验证指标

七重点公司五维⭐评级

澜起科技(688008) · 第一梯队 · 市值2852亿 PE111.51 ★★★★★
维度星级说明证据
产业逻辑★★★★★DDR5渗透+HBM放量+AI服务器，接口量价齐升A
增量空间★★★★★CKD/MRCD/MDB新品类随DDR5世代打开B
不可替代性★★★★★全球DDR5接口市占超40%，国产独苗A
技术壁垒★★★★★高速SerDes/时钟架构壁垒极深A
不可复制性★★★★☆5日+27%独立走强，但估值已高需业绩兑现A
北京君正(300223) · 第一梯队 · 市值695亿 PE111.83 ★★★★
维度星级说明证据
产业逻辑★★★★☆车规DRAM国产替代+长鑫生态绑定A
增量空间★★★★☆车规存储需求稳增，DRAM国产份额低B
不可替代性★★★★☆国内车规DRAM头部，但与长鑫有协同定位A
技术壁垒★★★★☆车规认证周期长，但技术弱于国际大厂A
不可复制性★★★☆☆20日-38.4%深调未企稳，价格周期敏感A
兆易创新(603986) · 第一梯队 · 市值3207亿 PE111.56 ★★★★
维度星级说明证据
产业逻辑★★★★☆NOR全球第三+MCU平台，国产存储名片A
增量空间★★★☆☆NOR增量来自车规/工业，MCU竞争加剧C
不可替代性★★★★☆国内NOR绝对龙头，客户黏性强A
技术壁垒★★★★☆NOR/MCU工艺成熟，车规认证壁垒A
不可复制性★★★☆☆20日-40.65%深跌，周期属性强A
聚辰股份(688123) · 第一梯队 · 市值203亿 PE68.7 ★★★★
维度星级说明证据
产业逻辑★★★★☆EEPROM车规渗透+SPD/汽车电子A
增量空间★★★★☆车规EEPROM全球第三，份额提升空间B
不可替代性★★★★☆全球EEPROM头部，客户认证深A
技术壁垒★★★★☆车规级可靠性壁垒A
不可复制性★★★☆☆市值小弹性大，但赛道天花板有限A
佰维存储(688525) · 第二梯队 · 市值1115亿 PE28.22 ★★★
维度星级说明证据
产业逻辑★★★☆☆存储模组+封测一体化，企业级突破B
增量空间★★★☆☆企业级SSD国产替代，但模组溢价低C
不可替代性★★☆☆☆模组组装属性，品牌/技术壁垒弱B
技术壁垒★★☆☆☆固件/主控能力在蓄力，整体仍偏制造B
不可复制性★★☆☆☆20日-52.82%最深跌幅，价格周期最敏感A
江波龙(301308) · 第二梯队 · 市值1565亿 PE28.79 ★★★
维度星级说明证据
产业逻辑★★★☆☆全品类存储模组+品牌，嵌入式为主B
增量空间★★★☆☆企业级/数据中心突破中C
不可替代性★★☆☆☆模组环节可替代性强B
技术壁垒★★☆☆☆主控/固件自研推进，仍偏制造B
不可复制性★★☆☆☆20日-45.55%深跌，盈利薄周期敏感A

八财务快照（真实行情）

公司代码市值PE现价5日20日60日年初至今52周位置拐点定性
澜起科技6880082852亿111.51233.66+27.27%-10.76%+31.2%+98.35%
高332.9/低81.46，现价60%分位偏高		强独立异动/位置偏高
北京君正300223695亿111.83143.65-6.61%-38.4%+17.43%+35.66%
高279.44/低65.75，现价37%分位偏低		深度回撤/未企稳
兆易创新6039863207亿111.56457-1.33%-40.65%+50.99%+114.05%
高846.66/低115.55，现价47%分位中位		强趋势后深调/中位
聚辰股份688123203亿68.7127.52-3.47%-32.69%+1.49%+2.11%
高235.99/低71.61，现价34%分位偏低		回撤/低位
佰维存储6885251115亿28.22236.38-6.52%-52.82%-10.61%+106.31%
高517/低62.07，现价38%分位偏低		板块最深跌幅/超跌
江波龙3013081565亿28.79370.01-6.56%-45.55%-5.72%+51.74%
高749.88/低84.29，现价43%分位中位		深跌/中位
普冉股份688766579亿131.63389.64-8.96%-46.41%+48.55%+206.59%
高909.8/低61.88，现价39%分位偏低		深跌/低位
东芯股份688110487亿亏损(PE失真)110.15-5.72%-42.19%-17.14%-16.14%
高209.55/低34.47，现价43%分位中位		亏损+深跌/中性
深科技000021661亿55.1441.99+7.64%-21.53%+44.44%+67.56%
高66.2/低17.93，现价50%分位中位		当日逆势强/中位
市值/PE/价格/涨幅均来自 data_quote 实时行情（07-24 收盘）；硬财务(营收/利润/毛利)依赖 data_finance，接口返回空则未填，禁编造。

九红队反向证伪风险表

高风险 3中风险 3低风险 0
环节/公司最大风险证据能否缓解缺失关键数据风险等级证据
存储价格周期下行(佰维/江波龙)DRAM/NAND现货价持续下行，模组盈利薄、库存减值风险周期见底预期+企业级突破对冲现货价格周度数据/库存周转高A
东芯股份(688110)持续亏损(PE17831失真)、NAND价格承压中小容量NAND国产替代空间扭亏时点/经营现金流转正高A
板块整体超跌未企稳颗粒/模组20日-38%~-53%，多数标的仍在下行通道深度超跌提供安全边际，但需价格拐点确认止跌信号/资金回流高A
长鑫科技IPO进展IPO推迟或估值不及预期影响DRAM国产情绪国产DRAM突破趋势不变招股书/设备招标时点中B
HBM接口国产化(澜起vs海外)澜起HBM接口与国际大厂技术代差/客户验证节奏DDR5接口已全球领先，HBM接口顺势延伸HBM接口客户认证公告中C
DRAM/NAND技术差距与三星/海力士在先进制程/堆叠层数差距长鑫/长存已突破量产良率/层数爬坡数据中C

十动态跟踪里程碑

2026Q31-2个月2026中报后续2个月2周内
里程碑最晚观察时点达成信号未达成信号熔断动作
长鑫科技IPO招股书及设备招标2026Q3招股书披露+设备招标落地推迟或取消国产DRAM情绪落空，相关标的回调
存储现货价格(DDR4/DRAM/NAND)周期拐点1-2个月现货价连续2周止跌回升继续下行模组(佰维/江波龙)盈利预期下修，不抄底
澜起科技CKD/HBM接口出货与中报2026中报CKD出货量超预期+业绩高增出货放缓/业绩不及预期接口逻辑证伪，估值回落
深科技HBM封测订单验证后续2个月公告HBM封装大额订单无实质订单封测逻辑证伪，落袋
半导体板块20日净流出(-242亿)是否扭转2周内20日净额转正、资金回流存储维持净流出反弹定性为超跌结构性，不追高

十一内部研究结论

买点舒适度：澜起/深科技当日逆势强、结构舒适度中高；颗粒/模组深跌未企稳，抄底舒适度低，需价格拐点确认。
验证锚点：澜起5日+27%持续性、深科技封测订单、长鑫IPO、存储现货价格拐点。
失败条件：存储价格继续下行致模组亏损扩大、长鑫IPO推迟、HBM国产化不及预期、板块资金一日游仅结构性难扩散。
本看板为内部研究辅助，不构成投资建议。所有结论须标注证据等级 A/B/C/D，数据须来自真实接口。